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【2h】

Modelling of proton irradiated GaN-based high-power white light-emitting diodes

机译：质子辐照GaN基大功率白光二极管建模

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Alessandro Floriduz; James D. Devine;
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年度 2018
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2. Electrical and Optical Damage to GaN-Based Light-Emitting Diodes by 20-MeV Proton Irradiation [J] . Yang Gwangseok, Jung Younghun, Kim Byung-Jae, Science of advanced materials . 2016,第1期

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3. Theoretical Modeling of Luminous Efficacy for High-Power White Light-Emitting Diodes [J] . Xue-Hui Tao, Yong Yang 中国物理快报：英文版 . 2017,第003期

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机译：5.5meV质子辐射对应变量子孔激光二极管可靠性的影响及多量子阱宽带发光二极管
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