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机译:使用SAL偏置法的NiFe / Cu多层磁阻元件的性质。
M. Ueno; S. Tanoue;
机译:交换偏置巨型磁阻多层元件中的磁化过程
机译:具有Co层垂直各向异性的NiFe / Au / Co / Au多层膜的磁阻和磁阻性质
机译:热退火引起的NiFe / Ag多层膜的磁和磁阻特性变化
机译:交换偏置巨型磁阻多层元素中的磁化过程
机译:合金元素对Al-Si Cu-Mg基合金室温和高温拉伸性能的影响=
机译:阳极氧化TiO2模板上制备的纳米多孔Co / Pd多层薄膜的磁阻和磁阻特性的相关性
机译:Cu / Co / Cu / NiFe多层磁阻性能的磁场沉积效应。
机译:具有横向磁偏置的软相邻层(SAL)的软相邻层(SAL)磁阻(MR)传感器元件的形成方法
机译:磁阻元件夹在sal铁氧体衬底和包含易轴偏置磁体的盖子之间
机译:具有电绝缘的软相邻层(SAL)的软相邻层(SAL)磁阻(MR)传感器元件
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