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【2h】

An Electro-Optical Simulation Methodology for the Analysis of Single-Event Radiation Effects in Photonic Devices

机译：用于分析光子器件中单事件辐射效应的电光仿真方法

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Ryan C. Boggs; Ellis Richards; Lloyd W. Massengill; T. Daniel Loveless;
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年度 2019
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1. Radiation Hardness Assurance Testing of Microelectronic Devices and Integrated Circuits: Test Guideline for Proton and Heavy Ion Single-Event Effects [J] . Schwank J.R., Shaneyfelt M.R., Dodd P.E. IEEE Transactions on Nuclear Science . 2013,第3aPart2期

机译：微电子器件和集成电路的辐射硬度保证测试：质子和重离子单事件效应的测试指南
2. Modeling and Simulation of Single-Event Effects in Digital Devices and ICs [J] . Munteanu D., Autran J.-L. IEEE Transactions on Nuclear Science . 2008,第4期

机译：数字设备和IC中单事件效果的建模和仿真
3. Analysis of Single-Event Effects in a Radiation-Hardened Low-Jitter PLL Under Heavy Ion and Pulsed Laser Irradiation [J] . Zhuojun Chen, Min Lin, Ding Ding, Nuclear Science, IEEE Transactions on . 2017,第1期

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4. Radiation effects in advanced SOI devices: New insights into Total Ionizing Dose and Single-Event Effects [C] . Gaillardin M., Raine M., Paillet P., IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference . 2013

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