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机译:退火时间对钡铁氧体溅射薄膜微结构和磁性的影响
S. Takei; A. Morisako; M. Matsumoto; X. Liu;
机译:氧气压力和退火时间对钡铁氧体薄膜磁性和结构性能的影响
机译:沉积和退火条件对溅射钡铁氧体厚膜晶体学性能的影响
机译:磁控溅射在Pt包覆的Si衬底上高取向M型钡铁氧体薄膜的磁和自偏置特性
机译:射频磁控溅射钡铁氧体薄膜原位退火与外退火的比较
机译:溅射钡铁氧体磁性薄膜的制备与表征
机译:热退火对通过射频磁控溅射获得的锆掺杂MgXZN1-XO膜性能的影响
机译:溅射压力对钡铁氧体薄膜织构和磁性能的影响
机译:不同条件下溅射钛酸钡薄膜的合成,表征及光学性质
机译:薄膜磁记录介质,磁盘驱动器,钡铁氧体薄膜的生产方式和纵向磁记录方式
机译:薄膜磁记录介质,磁盘驱动器,钡铁氧体薄膜的生产和纵向磁记录方法
机译:具有1μm或更大厚度的厚膜的铁素体薄膜形成方法,改善了磁性能并获得了铁素体薄膜
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