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【2h】

Tunneling Magnetoresistive Effect on NiFe/Al2O3/Co Junction with a Micron-Order Area

机译：用微米级区域对NiFE / Al2O3 / Co结的隧道磁阻作用

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作者
S. Kumagai; T. Yaoi; T. Miyazaki;
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年度 1997
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1. Dependence of tunneling magnetoresistance on CoFe interfacial layer thickness in NiFe/Al/sub 2/O/sub 3//NiFe tunnel junctions [J] . Park B.G., Lee T.D. IEEE Transactions on Magnetics . 1999,第5期

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2. Reduction of switching field distributions by edge oxidization of submicron magnetoresistive tunneling junction cells for high-density magnetoresistive random access memories [J] . M. Yoshikawa, E. Kitagawa, S. Takahashi, Journal of Applied Physics . 2006,第8Pt3期

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