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High-field Injection Modification of Nano-thickness Dielectric Films in the MOS Devices

机译：MOS器件中纳米厚度介电膜的高场喷射改变

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В.В. Андреев; А.А. Столяров; Д.М. Ахмелкин; А.В. Романов;
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年度 2013
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1. Modification of MOS Devices by High-Field Electron Injection and Arc Plasma Jet Treatment [J] . Andreev V. V., Bondarenko G. G., Maslovsky V. M., Acta Physica Polonica . 2015,第5期

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2. INFLUENCE OF TEMPERATURE ON HIGH-FIELD INJECTION MODIFICATION OF MIS STRUCTURES WITH THERMAL SiO₂ FILMS DOPED WITH PHOSPHORUS [J] . Dmitrii V. Andreev, Gennady G. Bondarenko, Vladimir V. Andreev, High Temperature Material Processes . 2019,第4期

机译：温度对热SiO _{2 磷的高场喷射改性MIS结构的影响}
3. Improvement of Injection and Radiation Stability of Nanosized Dielectric Films of MOS Devices [J] . V. V. Andreev, G. G. Bondarenko, A. M. Mihalkov, Inorganic materials: applied research . 2011,第5期

机译：MOS器件纳米介电膜注入和辐射稳定性的提高
4. Modification of thin oxide films of MOS structure by high-field injection and irradiation [C] . D V Andreev, G G Bondarenko, V V Andreev International Scientific Conference on Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials . 2016

机译：用高场喷射和照射改变MOS结构的薄氧化物薄膜
5. Plasma interactions on organosilicate glass dielectric films and emerging amorphous materials- approach to pore sealing and chemical modifications. [D] . Kazi, Haseeb. 2015

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6. Use of High-Field Electron Injection into Dielectrics to Enhance Functional Capabilities of Radiation MOS Sensors [O] . Dmitrii V. Andreev, Gennady G. Bondarenko, Vladimir V. Andreev, 2020

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8. Monte-Carlo Simulation of High-Field Electron Transport in Alternating-Current Thin-Film Electroluminescent Devices. [R] . Bhattacharyya, K., Goodnick, S. M., Wager, J. F. 1993

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