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SiO Evaporated Films Topography and Nematic Liquid Crystal Orientation

机译:SIO蒸发的薄膜形貌和向列液晶取向

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摘要

We present transmission electron microscopy micrographs of SiO films obliquely evaporated on indium-tin oxide coated glass surfaces. To study the growth mechanism of these SiO films, we present film cross sections in the evaporation plane. Varying the evaporation angle, we observe a column to needle transition, with increasing surface roughness. This transition corresponds to the planar to oblique nematic liquid crystal orientation transition, through the bistable one. The SiO surface roughness is estimated to induce a nematic surface order decrease (surface melting). The azimuthal nematic orientation on these plates corresponds to the direction of minimum surface melting. This confirms the predictions of the Barbero-Durand model.
机译:我们在氧化铟锡涂覆的玻璃表面上呈现SiO膜的透射电子显微镜显微镜显微镜。为了研究这些SiO薄膜的生长机制,我们在蒸发平面中提出薄膜横截面。改变蒸发角度,我们观察到针转换的柱,随着表面粗糙度的增加。该转变对应于倾斜向倾斜液晶取向转变的平面,通过双稳态。估计SiO表面粗糙度诱导诱导向列表面顺序降低(表面熔化)。这些板上的方位角向上取向对应于最小表面熔化的方向。这证实了Barbero-Durand模型的预测。

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