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【2h】

An Interferometric Characterization Technique for Extreme Impedance Microwave Devices

机译：极端阻抗微波器件的干涉式表征技术

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Haris Votsi; Laurence T. Stant; Cristian Matei; Martin J. Salter; Chong Li; Nick M. Ridler; Peter H. Aaen;
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年度 2020
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1. An Active Interferometric Method for Extreme Impedance On-Wafer Device Measurements [J] . Haris Votsi, Chong Li, Peter H. Aaen, Microwave and Wireless Components Letters, IEEE . 2017,第11期

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2. Testing microwave devices under different source impedance values-a novel technique for on-line measurement of source and device reflection coefficients [J] . Madonna G., Ferrero A. IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement . 2000,第2期

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3. Quantitative impedance characterization of sub-10nm scale capacitors and tunnel junctions with an interferometric scanning microwave microscope [J] . Fei Wang, Nicolas Clément, Damien Ducatteau, Nanotechnology . 2014,第40期

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4. An Interferometric Characterization Technique for Extreme Impedance Microwave Devices [C] . Haris Votsi, Laurence T. Stant, Cristian Matei, ARFTG Microwave Measurement Symposium . 2020

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7. An Active Interferometric Method for Extreme Impedance On-Wafer Device Measurements [O] . Votsi Haris, Li C, Aaen Peter H, 2017

机译：有源阻抗法，用于极阻抗晶片上设备的测量
8. Static Technique for the Electro-Mechanical Characterization of Organic MEMS Devices for RF and Microwave Applications. [R] . Kaul, A. B., Klosowiak, T., Liu, J. 2002

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