机译:4H-SIC双漂移区域的前景IMPATT设备作为0.7太赫兹频率制度的光敏高电源
机译:4T-SiC双漂移区IMPATT器件在0.7太赫兹频率范围内作为光敏大功率光源的前景
机译:基于宽带隙半导体作为潜在太赫兹源的IMPATT器件的前景
机译:IMPATT装置作为太赫兹的潜力来源:一种基于雪崩响应时间的方法来确定上限截止频率极限
机译:高效双漂移区4H-SiC太赫兹IMPATT二极管的辐射效应
机译:大功率亚太赫兹源具有高达1 Hz的记录频率稳定性
机译:基于宽带隙半导体作为潜在太赫兹源的IMPATT器件的前景
机译:使用周期性轮询的频率转换装置开发高效,紧凑,稳健且可调谐的IR和太赫兹光源