机译:通过适用于高性能化合物半导体晶体管的低损伤感应耦合等离子体SF6 / C4F8蚀刻制成的纳米级钼栅极
机译:在高密度等离子体中蚀刻多晶硅栅极期间的轮廓演变和纳米级线宽控制
机译:高密度等离子体中多晶硅栅极蚀刻过程中的纳米级线宽控制
机译:在低等离子密度反应离子刻蚀系统中,使用SF6 / H2 / O2等离子的高纵横比深硅微/纳米级特征刻蚀
机译:纳米级处理中的等离子体表面相互作用:通过硅选择性保留低k完整性和高k栅堆叠蚀刻。
机译:SF6优化的对二甲苯C的O2等离子体蚀刻
机译:薄栅氧化物多晶硅等离子体刻蚀中微缝的形成