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【2h】

Enhancement of Electrical Conduction and Phonon Scattering in Ga2O3(ZnO)9-In2O3(ZnO)9 Compounds by Modification of Interfaces at the Nanoscale

机译：通过在纳米级接口改变界面的改变，通过改变纳米级接口来增强在Ga2O3（ZnO）9-In2O3（ZnO）9化合物中的电导和声子散射

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Diana T. Alvarez-Ruiz; Feridoon Azough; David Hernandez-Maldonado; Demie M. Kepaptsoglou; Quentin M. Ramasse; Peter Svec; Robert Freer;
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年度 2018
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机译：通过改变纳米尺度的接口，增强Ga 2 O 3（ZnO）（9）-in2O3（ZnO）（9）化合物的电导和声子散射
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机译：同型化合物，IN2O3（ZNO）（M）（M = 3、4和5），INGAO3（ZNO）（3）和GA2O3（ZNO）（M）的合成和单晶数据（M = 7、8 ，9和16）在IN2O3-ZNGA2O4-ZNO系统中
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