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Erratum: “Enhancing magnetoelectric effect in multiferroic composite bilayers via flexoelectricity” J. Appl. Phys. 119, 134102 (2016)

机译：错误：“通过柔性电性提高多体复合双层的磁电效应”J。苹果。物理。 119,134102（2016）

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Chunli Zhang; Lingli Zhang; Xudong Shen; Weiqiu Chen;
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年度 2016
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1. Erratum: 'Coupling of electric charge and magnetic field via electronic phase separation in (La,Pr,Ca)MnO_3/Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3)O_3-PbTiO_3 multiferroic heterostructures' [J. Appl. Phys. 119,154507 (2016)] [J] . Zheng Ming, Wang Wei Journal of Applied Physics . 2018,第8期

机译：勘误表：“在（La，Pr，Ca）MnO_3 / Pb（Mg_（1/3）Nb_（2/3）O_3-PbTiO_3多铁性异质结构中通过电子相分离耦合电荷和磁场）[J.应用物理学。119,154507（2016）]
2. Erratum: 'Spectroscopic ellipsometry-based study of optical properties of amorphous and crystalline ZnSnO alloys and Zn_2SnO_4 thin films grown using sputtering deposition: Dielectric function and subgap states' [J. Appl. Phys. 119,135302 (2016)] [J] . Ko Kun Hee, So Hyeon Seob, Jung Dae Ho, Journal of Applied Physics . 2018,第8期

机译：勘误表：“基于椭圆偏振光谱的非晶态和结晶态ZnSnO合金和使用溅射沉积法生长的Zn_2SnO_4薄膜的光学特性的研究：介电函数和亚能隙态” [J.应用物理119,135302（2016）]
3. Erratum: 'Magnetoelectric resonant characteristics in PB(Zr,Ti)O_3/Terfenol-D laminate composites' [J. Appl. Phys. 103, 103522 (2008)] [J] . Jian-Ping Zhou Zhong-cheng Qiu Peng Liu Wan-Chang Sun Huai-Wu Zhang Journal of Applied Physics . 2008,第3期

机译：勘误表：“ PB（Zr，Ti）O_3 / Terfenol-D层压复合材料的磁电共振特性” [J.应用物理103，103522（2008）]
4. Strong Enhancement of Bending-Mode Magnetoelectric Effect by Layer Sequence Choice in Thin Film Bilayer Composites on a Substrate [C] . Matthias Krantz, Jascha Lukas Gugat, Martina Gerken Materials Research Society Meeting . 2014

机译：基材上薄膜双层复合材料层序列选择对弯曲模式磁电效应的强大提高
5. Magnetoelectric Coupling in Composite Multiferroic Heterostructures. [D] . Hoffman, Jason. 2010

机译：复合多铁异质结构中的磁电耦合。
6. Erratum: Fourier-based magnetic induction tomography for mapping resistivity J. Appl. Phys. 109 014701 (2011) [O] . Steffan Puwal, Bradley Roth -1

机译：勘误表：基于傅里叶的磁感应层析成像法用于绘制电阻率图 J.应用物理109014701（2011）
7. Erratum: “Analysis of plasma-modes of a gated bilayer system in high electron mobility transistors” J. Appl. Phys. 119, 193102 (2016) [O] . Shubhendu Bhardwaj, Siddharth Rajan, John L. Volakis 2016

机译：误斗：“高电子迁移率晶体管中的门控双层系统的等离子体模式”J。苹果。物理。 119,193102（2016）

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