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【2h】

Dislocation- and crystallographic-dependent photoelectrochemical wet etching of gallium nitride

机译：氮化镓的错位和结晶依赖性光电化学湿法蚀刻

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Y. Gao; M. D. Craven; J. S. Speck; S. P. Den Baars; E. L. Hu;
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年度 2004
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1. Dislocation- and crystallographic-dependent photoelectrochemical wet etching of gallium nitride [J] . Y. Gao, M. D. Craven, J. S. Speck, Applied Physics Letters . 2004,第17期

机译：氮化镓的位错和晶体学相关的光电化学湿法刻蚀
2. Photoelectrochemical Etching Technology for Gallium Nitride Power and RF Devices [J] . Horikiri Fumimasa, Fukuhara Noboru, Ohta Hiroshi, IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing . 2019,第4期

机译：氮化镓功率和射频器件的光电化学刻蚀技术
3. Nonaqueous organic electrolyte for photoelectrochemical etching of gallium nitride surface [J] . Wang Chao, Zhang Miao-Rong, Song Wei-Xing, Chemical Physics Letters . 2018,第期

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4. Photoelectrochemical wet etching and CV-profiling of nitride semiconductors [C] . Wolff, T., Rapp, . 2005

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5. Photoelectrochemical wet etching of gallium nitride [D] . Youtsey, Christopher Thomas 1999

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6. New Nitride Nanoceramics from Synthesis-Mixed Nanopowders in the Composite System Gallium Nitride GaN–Titanium Nitride TiN [O] . Mariusz Drygaś, Katarzyna Lejda, Jerzy F. Janik, 2021

机译：复合体系镓氮化镓GaN-氮化镓锡中的新型氮化物纳米粒子
7. Anisotropy and Mechanistic Elucidation of Wet‐Chemical Gallium Nitride Etching at the Atomic Level [O] . Markus Tautz, Andreas Weimar, Christian Graßl, 2020

机译：原子水平湿化学镓蚀刻的各向异性和机械阐明
8. Etching Characteristics and Surface Analysis of Molecular Bean Epitaxy Grown P-Type Aluminum Gallium Nitride With Boron Trichloride/Chlorine Gases in Inductively Coupled Plasma (ICP) Dry Etching [R] . Semendy, F. , Boyd, P. , Lee, U. 2004

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