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机译:用于电化学氢进化的MOS2单层纳米片基底平面的过渡金属原子掺杂
Thomas H. M. Lau; XiaoWei Lu; Jiří Kulhavý; Simson Wu; Lilin Lu; Tai-Sing Wu; Ryuichi Kato; John S. Foord; Yun-Liang Soo; Kazu Suenaga; Shik Chi Edman Tsang;
机译:MoS2单层纳米片基面的过渡金属原子掺杂,用于电化学析氢
机译:触发单层MOS2的基底平面活性位点,用于通过磷掺杂的氢进化反应
机译:掺杂3d过渡金属的单层MOS2的功函数调制
机译:化学剥离和恢复MOS2纳米液的电化学电荷存储和电化学机械行为
机译:MoS2单层纳米片基面的过渡金属原子掺杂用于电化学制氢
机译:Metal-S和金属-O键合源之间的差异:隔离金属原子掺杂MOS2纳米液的氧气进化活动的描述符
机译:包含过渡金属二氢萘类纳米粒子和过渡金属二氢萘类纳米粒子的复合物,其制备方法以及包含相同氢原子发生反应的催化剂
机译:使用无溶剂离子液体作为电解质在标准条件下(≈300K,1 atm)或在可变压力和温度下可逆地存储电场中的氢气或其他气体以及电化学双层电容器中的电能的方法以及基于碳,异质,金属原子或杂化材料的电化学双层电容器,用于在电场中可逆地存储电能以及氢气或其他气体
机译:有机金属前驱体上涂有半导体核上的过渡金属磷酸盐的薄层,用于氧的析出和氢的析出催化
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