Electron Holography of CMOS Devices with Epitaxial Layers

机译：具有外延层的CMOS器件的电子全息术

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
M. A. Gribelyuk; V. Ontalus; T. N. Adam; F. H. Baumann; P. R. Ronsheim;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2014
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Electron holography of devices with epitaxial layers [J] . Gribelyuk M.A., Ontalus V., Baumann F.H., Journal of Applied Physics . 2014,第17期

机译：具有外延层的器件的电子全息术
2. Electron holography of devices with epitaxial layers [J] . M. A. Gribelyuk, V. Ontalus, F. H. Baumann, Journal of Applied Physics . 2014,第17期

机译：具有外延层的器件的电子全息术
3. 2D-mapping of dopant distribution in deep sub micron CMOS devices by electron holography using adapted FIB-preparation. [J] . Lenk A, Lichte H, Muehle U Journal of Electron Microscopy . 2005,第4期

机译：深层亚微米CMOS器件中掺杂剂分布的2D映射通过电子全息图（使用自适应FIB制备）进行。
4. III#x2013;V CMOS devices and circuits with high-quality atomic-layer-epitaxial La2O3/GaAs interface [C] . Dong L., Wang X.W., Zhang J.Y., Symposium on VLSI Technology . 2014

机译：具有高质量原子层外延La 2 O 3 / GaAs接口的III–V CMOS器件和电路
5. Bridging the gap between CMOS and QCA: The integration of single electron devices and CMOS technology. [D] . Prager, Aaron Anthony. 2010

机译：缩小CMOS和QCA之间的差距：单电子器件和CMOS技术的集成。
6. Lanthanum Gadolinium Oxide: A New Electronic Device Material for CMOS Logic and Memory Devices [O] . Shojan P. Pavunny, James F. Scott, Ram S. Katiyar 2014

机译：氧化镧Ga：CMOS逻辑和存储设备的新型电子设备材料
7. Strain Mapping of Layers and Devices Using Electron Holography [O] . 2010

机译：使用电子全息术层和器件的应变映射

Electron Holography of CMOS Devices with Epitaxial Layers

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅