首页> 外文OA文献 >Recent Plasma Processing Technology. Etching Process Employing High Density Plasmas.

【2h】

Recent Plasma Processing Technology. Etching Process Employing High Density Plasmas.

机译：近期等离子加工技术。采用高密度等离子体的蚀刻工艺。

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Yasuhiro HORIIKE;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 1994
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Etching characteristics of organic low-k films interpreted by internal parameters employing a combinatorial plasma process in an inductively coupled H_2/N_2 plasma [J] . Chang Sung Moon, Keigo Takeda, Makoto Sekine, Journal of Applied Physics . 2010,第11期

机译：在电感耦合的H_2 / N_2等离子体中，采用组合等离子体工艺通过内部参数解释有机低k膜的蚀刻特性
2. Plasma-wall interactions during silicon etching processes in high-density HBr/Cl-2/O-2 plasmas [J] . Cunge G, Kogelschatz M, Joubert O, Plasma Sources Science & Technology . 2005,第2期

机译：高密度HBr / Cl-2 / O-2等离子体中硅刻蚀过程中的等离子体-壁相互作用
3. Low-k SiOCH Film Etching Process and Its Diagnostics Employing Ar/C_5F_(10)O/N_2 Plasma [J] . Mikio Nagai, Takayuki Hayashi, Masaru Hori, Japanese Journal of Applied Physics. Part 1, Regular Papers, Brief Communications & Review Papers . 2006,第9A期

机译：Ar / C_5F_（10）O / N_2等离子体的低k SiOCH膜蚀刻工艺及其诊断
4. Effect of O{sub}2 Admixture: Competition of Electron Density and Etching Rate in CF{sub}4/O{sub}2 Plasma-etching Process [C] . Yu. N. Grigoryev, A. G. Gorobchuk International Conference on Microelectronics . 2008

机译：o {sub} 2混合物的效果：CF {} 4 / O} 4 / O} 2等等离子体蚀刻过程中的电子密度和蚀刻速率的竞争
5. The chemical mechanisms of metal etching in high density plasmas. [D] . Orland, Aaron Seth. 2003

机译：高密度等离子体中金属蚀刻的化学机理。
6. Silicon Oxide Etching Process of NF3 and F3NO Plasmas with a Residual Gas Analyzer [O] . Woo-Jae Kim, In-Young Bang, Ji-Hwan Kim, 2021

机译：NF3和F3No等离子体的氧化硅蚀刻方法具有残余气体分析仪
7. Trends in Advanced SPS Spark Plasma Sintering Systems and Technology. Functionally Gradient Materials and Unique Synthetic Processing Methods from Next Generation of Powder Technology. [O] . Masao TOKITA 1993

机译：高级SPS火花等离子烧结系统和技术的趋势。功能梯度材料和独特的合成加工方法来自下一代粉末技术。
8. Scaling Parameters for Low Density Flowing Plasmas. Part I. Electron Beam Studies of the Gas-Surface Interaction Process. Part II [R] . de Leeuw, J. H., French, J. B. 1967

机译：低密度流动等离子体的缩放参数。第一部分气体 - 表面相互作用过程的电子束研究。第二部分

Recent Plasma Processing Technology. Etching Process Employing High Density Plasmas.

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅