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【2h】

X-ray diffraction from thin epitaxial semiconductor layers and multiple quantum well structures

机译：来自薄外延半导体层的X射线衍射和多量子阱结构

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P. F. Fewster;
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年度 1987
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2. X-ray topographical analysis of 4H-SiC epitaxial layers using a forward-transmitted beam under a multiple-beam diffraction condition [J] . Kamata Isaho, Tsusaka Yoshiyuki, Tanuma Ryohei, Japanese journal of applied physics . 2018,第9期

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3. X-ray multiple diffraction (Umweganregung) in wurtzite-type GaN and ZnO epitaxial layers [J] . Blasing J, Krost A Physica Status Solidi. A, Applied Research . 2004,第4期

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