机译:使用SF_6 / O_2等离子清洁技术减少蚀刻缺陷并优化光刻胶掩膜栅多晶硅蚀刻工艺中的蚀刻配方
机译:电感耦合等离子体蚀刻反应器中氯等离子体和多晶硅蚀刻的表征
机译:在卤素基等离子体中进行硅刻蚀时,反应器壁对等离子体化学性质和硅刻蚀产物密度的影响
机译:Lam 4400等离子蚀刻机中的微污染控制:在SF6 / He硅沟槽蚀刻过程中,颗粒缺陷密度降低了15倍
机译:三氟化氮/乙烯等离子体中的氧化硅和氮化硅蚀刻机理。
机译:氢等离子体处理非晶碳化硅基体减少硅量子点超晶格结构缺陷的研究
机译:具有传统电感耦合等离子体(ICP)蚀刻器的深硅蚀刻工艺的开发
机译:用于监测氯 - 氦等离子体中多晶硅的等离子体蚀刻期间的蚀刻均匀性的光学诊断仪器。