机译:在纳米图案n型GaN衬底上制备380 nm紫外发光二极管
机译:用于380 nm紫外发光二极管的纳米级SiO_2图案化n型GaN衬底
机译:通过使用由GaAs衬底制造的独立式GaN衬底,高效能380 nm紫外线发光二极管的效率下降了3%
机译:在全拍纳米图案化蓝宝石衬底上生长的GaN的光发射器的提取效率增强
机译:评估uv发光二极管(UV-LED)的效率用于果汁毒蕈化= meyve suyu过去?r?zasyonu ??? n uv我?ik yayan d?yotlarin etk?n ?? n(uv- LED)de?erlend?r?lmes?
机译:通过MOCVD生长的纳米图案GaN层增强的Eu相关发射光提取效率
机译:通过MOCVD生长的纳米图案化GaN层的欧盟与欧盟相关发射的光提取效率提高
机译:在HpVE生长的模板和自支撑GaN衬底上的N型GaN层的mOCVD生长和蚀刻