机译:用于光刻模拟的化学放大抗蚀剂曝光期间的脱保护反应研究
机译:随机缺陷产生对酸放大的量子效率和有效化学反应半径的影响,该化学反应使用极端紫外光刻技术进行化学放大的抗蚀剂工艺进行脱保护
机译:基于极紫外辐射下聚合物脱保护的化学放大抗蚀剂中产生的化学梯度的理论研究
机译:暴露于极紫外辐射下的化学放大的抗蚀剂中的溶解动力学和脱保护反应
机译:探索基于溶出抑制剂的非化学放大抗蚀剂,用于193 nm光刻。
机译:通过使用非化学放大的抗蚀剂和曝光后烘烤来制造具有改善的线边缘粗糙度的高分辨率掩模
机译:用于化学扩增抗蚀剂的脱保护反应的激活能量:使用原位FT-IR光谱的研究。