机译:针对100 nm节点的193 nm接触孔电阻的优化
机译:PAG Incorporated聚合物抗蚀剂可在193 nm曝光下进行亚100 nm图案化
机译:使用193 nm光刻技术对80 nm以下的接触孔和沟槽进行图案化的最有效替代方法
机译:140nm接触孔图案化和DOE的193 nm薄层成像性能多层抗蚀剂工艺的干显影工艺优化
机译:探索基于溶出抑制剂的非化学放大抗蚀剂,用于193 nm光刻。
机译:通过金属辅助化学刻蚀的100纳米以下有序硅孔阵列
机译:薄膜成像的最新进程抗蚀剂和193nm,157nm和EUV的加工
机译:抗蚀技术与加工XII的进展。亚0.25微米光刻的193纳米硅烷化工艺的优化