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Fidelity of Mask Shape and Use of a Correction Method in Anisotropic Si Wet Etching

机译：掩模形状的保真度和各向异性Si湿法蚀刻中的校正方法的使用

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Junji Miyazaki; Akira Kawai;
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年度 2009
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1. Fidelity of Mask Shape and Use of a Correction Method in Anisotropic Si Wet Etching [J] . Junji Miyazaki, Akira Kawai Journal of Photopolymer Science and Technology . 2009,第6期

机译：各向异性硅湿蚀中掩模形状的逼真度和校正方法的使用
2. Shape Formation Analysis of Silicon Nanopore Fabricated by Anisotropic Wet Etching Method [J] . Wang Yifan, Chen Qi, Deng Tao, ECS Journal of Solid State Science and Technology . 2017,第12期

机译：各向异性湿法蚀刻法制备硅纳米孔的形状形成分析
3. A spin-on photosensitive polymeric etch protection mask for anisotropic wet etching of silicon [J] . J. Dalvi-Malhotra, X. F. Zhong, C. Planje, Journal of Micromechanics and Microengineering . 2008,第2期

机译：用于硅的各向异性湿法刻蚀的旋涂式光敏聚合物刻蚀保护掩模
4. An improved anisotropic wet etching process for the fabrication of silicon mems structures using a single etching mask [C] . Pal P., Sato K., Gosalvez M.A., IEEE International Conference on Micro Electro Mechanical Systems . 2008

机译：一种改进的各向异性湿法蚀刻工艺，用于使用单个蚀刻掩模制造硅MEMS结构
5. Mechanism of wet anisotropic etching of silicon for nano-scale applications. [D] . Stateikina, Irina. 2007

机译：用于纳米级应用的硅湿各向异性刻蚀机理。
6. Effect of Isopropyl Alcohol Concentration and Etching Time on Wet Chemical Anisotropic Etching of Low-Resistivity Crystalline Silicon Wafer [O] . Eyad Abdur-Rahman, Ibrahim Alghoraibi, Hassan Alkurdi 2017

机译：异丙醇浓度和刻蚀时间对低电阻晶体硅晶片湿化学各向异性刻蚀的影响
7. Fabrication of polygonal nanoholes by localized mask-free wet anisotropic etching [O] . Qi Chen, Yifan Wang, Hualv Zhang, 2017

机译：通过局部无掩模湿法各向异性蚀刻制造多边形纳米孔
8. X-Ray Lithography for sub-100-nm-Channel-Length Transistors Using Masks Fabricated with Conventional Photolithography, Anisotropic Etching, and Oblique Shadowing [R] . Chou, S. Y., Smith, H. I., Antoniadis, D. A. 1985

机译：用于亚100nm通道长度晶体管的X射线光刻技术，采用常规光刻，各向异性蚀刻和斜阴影制作的掩模

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