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【2h】

Improving Electrical Properties by Effective Sulfur Passivation via Modifying the Surface State of Substrate in HfO2/InP Systems

机译：通过改变HFO2 / InP系统中的基板的表面状态，通过有效硫钝化提高电性能

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2. Improved interface properties of atomic-layer-deposited HfO2 film on InP using interface sulfur passivation with H2S pre-deposition annealing [J] . Jin Hyun Soo, Cho Young Jin, Seok Tae Jun, Applied Surface Science . 2015,第DECa1PTaB期

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