机译:快中子辐照对基于CVD 4H-SiC外延层的器件电学特性的影响
机译:高分辨率透射电镜表征4H-SiC外延层中的棒状堆叠缺陷
机译:广泛的99%杀手缺损4H-SIC外延层向高电流大芯片装置
机译:厚的4H-SIC外延探测器,用于苛刻环境中的高分辨率辐射检测
机译:基于4H-SiC N型外延层和像素Cdznte单晶装置的高分辨率辐射检测器
机译:4H-SiC外延层器件在高分辨率辐射检测中的进展
机译:由具有外延生长层的CST方法和MESFET器件的CST方法和电学性质的P型4H-SiC(0001)的外延层生长