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【2h】

Engineering Interface-Dependent Photoconductivity in Ge2Sb2Te5 Nanoscale Devices

机译：GE2SB2TE5纳米级设备中的工程界面依赖性光电导性

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Syed Ghazi Sarwat; Nathan Youngblood; Yat-Yin Au; Jan A. Mol; C. David Wright; Harish Bhaskaran;
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年度 2018
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1. Engineering Interface-Dependent Photoconductivity in Ge2Sb2Te5 Nanoscale Devices [J] . Sarwat Syed Ghazi, Youngblood Nathan, Au Yat-Yin, ACS applied materials & interfaces . 2018,第51期

机译：GE2SB2Te5纳米级设备中的工程界面依赖性光电导性
2. Nanoscale strain engineering of graphene and graphene-based devices [J] . N-C Yeh, C-C Hsu, M L Teague, 力学学报：英文版 . 2016,第003期

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3. Nanoscale interface engineering in ZnO twin nanorods for proposed phonon tunnel devices [J] . Singh Avanendra, Senapati Kartik, Satpati Biswarup, Physical chemistry chemical physics: PCCP . 2015,第6期

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4. Graphene nanoelectromechanical (GNEM) devices functionalized by using helium ion beam for nanoscale thermal engineering [C] . H. Mizuta, M. Haque, S. Kubo, 応用物理学会秋季学術講演会;応用物理学会 . 2018

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