机译:使用电子全息,Lorentz显微镜,电子衍射显微镜和差分相位对比度的GaAs化合物半导体和半导体激光二极管分析
机译:使用相移电子全息术和洛伦兹显微镜直接观察GaAs化合物半导体中的掺杂剂分布。
机译:通过透射电子显微镜直接比较半导体中电场映射的轴向全能和差分相位对比度
机译:基于InP基半导体激光二极管的透射电子显微镜中掺杂变化的强烈对比观察
机译:色差校正的高分辨率透射电子显微镜,洛伦兹显微镜和磁性矿物的电子全息照相的机会
机译:III-V型化合物半导体材料表征的各种光电子器件的微结构和纳米结构的分析透射电子显微镜和高分辨率电子显微镜。
机译:使用4D扫描透射电子显微镜观察2D半导体中1D通道的原子静电图
机译:使用偏离轴电子全全息,洛伦兹显微镜,电子衍射显微镜和差分相位对比度的GaAs化合物半导体和半导体激光二极管分析
机译:通过高分辨率电子显微镜观察II-VI化合物半导体中的电子束增强氧化过程。