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Radiation-stimulated processes in silicon structures with contacts based on TiN

机译:具有基于TiN的触点的硅结构中的辐射激发过程

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摘要

The influence of irradiation on the structural properties of titanium nitride films deposited on silicon wafers has been considered. It has been shown that depending on the energy, fluence and type of irradiation ion, observed are the increase of accumulated damages with decreasing the grain size, the grain size reduction with increasing the fluence, the increase of dislocation density and microstrains.
机译:已经考虑了辐照对沉积在硅晶片上的氮化钛膜的结构性能的影响。已经表明,根据能量,能量密度和辐照离子的类型,观察到随着晶粒尺寸的减小累积损伤的增加,随着能量密度的增加晶粒尺寸的减小,位错密度和微应变的增加。

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