Избыточный квазичастичный ток в джозефсоновских гетероструктурах сверхпроводник—допированный полупроводник—сверхпроводник MoRe—Si (W)—MoRe

摘要

В работе исследованы вольт-амперные характеристики гетеропереходов вида MoRe—Si (W)—MoRe; при этом толщина и концентрация допанта полупроводникового барьера Si (W) изготовленных гетероструктур изменялись в широком диапазоне значений. Было установлено, что при относительно высоких концентрациях (5—9 ат.%) вольфрама в кремниевом барьере наблюдается резонансный туннельный эффект через локализованные уровни вольфрамовых кластеров. Одновременно при определённых условиях в таких переходах появляется сверхпроводящий ток Джозефсона, обусловленный многократными андреевскими отражениями боголюбовских квазичастиц (квазиэлектронов и квазидырок). Экспериментально наблюдаемый большой избыточный ток квазичастиц через переходы свидетельствует о существенном по величине вкладе в транспорт заряда от андреевских отражений на двух S/N-интерфейсах исследуемых джозефсоновских гетероструктур.