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Electrical and photoelectrical properties of iodine modified porous silicon on silicon substrates

机译:硅衬底上碘改性多孔硅的电和光电性能

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摘要

Current-voltage characteristics, spectral dependences of photovoltage andudshort-circuit current of the structures based on porous silicon at adsorption of iodineudmolecules are presented. It is revealed widening the spectral range of photosensitivity inudthe samples in short-wavelength range as compared with that of single crystal silicon.udKinetics of the photovoltage response inherent to the porous silicon-silicon structures hasudbeen investigated. The results are explained in the frame of qualitative model thatudinvolves formation of p-n-transitions in these structures as a result of inversion of theudconductivity type in porous silicon nanocrystals under the influence of adsorption ofudmolecular iodine
机译:提出了基于多孔硅的结构在吸附碘/分子时的电流-电压特性,光电压的光谱依赖性和短路电流。与单晶硅相比,揭示了在短波长范围内样品中光敏性的光谱范围变宽。 ud研究了多孔硅-硅结构固有的光电压响应的动力学。结果在定性模型的框架中得到解释,该模型涉及在多孔硅纳米晶体中吸附高分子碘的影响下导电类型的反转导致这些结构中p-n-过渡的形成。

著录项

  • 作者

    Olenych І.B.;

  • 作者单位
  • 年度 2012
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 en
  • 中图分类

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