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【2h】

HfO2/TiO2/HfO2 tri-layer high-K gate oxide based MoS2 negative capacitance FET with steep subthreshold swing

机译：HFO2 / TiO2 / HFO2三层高k基于氧化物的MOS2负电容FET，具有陡峭的亚阈值摆幅

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Md. Sherajul Islam; Shahrukh Sadman; A. S. M. Jannatul Islam; Jeongwon Park;
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年度 2020
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