首页> 外文OA文献 >Electrical characterizations of asymmetric InAs/GaSb superlattice MWIR photodiodes

【2h】

Electrical characterizations of asymmetric InAs/GaSb superlattice MWIR photodiodes

机译：非对称Inas / Gasb超晶格MWIR光电二极管的电气特性

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

摘要
著录项
引文网络
相似文献
相关主题

摘要

International audience

机译：国际观众

著录项

作者
R. Taalat; J.B. Rodriguez; C. Cervera; I. Ribet-Mohamed; P. Christol;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2013
总页数
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Electrical characterizations of asymmetric InAs/GaSb superlattice MWIR photodiodes [J] . Taalat R., Rodriguez J.B., Cervera C., Infrared physics and technology . 2013,第Null期

机译：不对称InAs / GaSb超晶格MWIR光电二极管的电学表征
2. Electrical Characterization of Different Passivation Treatments for Long-Wave Infrared InAs/GaSb Strained Layer Superlattice Photodiodes [J] . KOUSHIK BANERJEE, SIDDHARTHA GHOSH, SHUBHRANGSHU MALLICK, Journal of Electronic Materials . 2009,第9期

机译：长波红外InAs / GaSb应变层超晶格光电二极管不同钝化处理的电学表征
3. Electrical Characterization of Different Passivation Treatments for Long-Wave Infrared InAs/GaSb Strained Layer Superlattice Photodiodes [J] . Koushik Banerjee, Siddhartha Ghosh, Shubhrangshu Mallick, Journal of Electronic Materials . 2009,第9期

机译：长波红外InAs / GaSb应变层超晶格光电二极管不同钝化处理的电学表征
4. Comparison of the electro-optical performances of MWIR InAs/GaSb superlattice pin photodiode and FPA with asymmetrical designs [C] . Edouard Giard, Rachid Taalat, Marie Delmas, Conference on infrared technology and applications . 2014

机译：不对称设计的MWIR InAs / GaSb超晶格pin光电二极管和FPA的电光性能比较
5. Study of Structural, Optical and Electrical Properties of InAs/InAsSb Superlattices Using Multiple Characterization Techniques. [D] . Shen, Xiaomeng. 2015

机译：使用多种表征技术研究InAs / InAsSb超晶格的结构，光学和电学性质。
6. Electrical Properties of Midwave and Longwave InAs/GaSb Superlattices Grown on GaAs Substrates by Molecular Beam Epitaxy [O] . D. Benyahia, Ł. Kubiszyn, K. Michalczewski, 2018

机译：GaAs衬底上分子束外延生长的中波和长波InAs / GaSb超晶格的电学性质
7. Growth and Characterization of GaSb-Based Type-II InAs/GaSb Superlattice Photodiodes for Mid-Infrared Detection [O] . Wang GW (Wang Guo-Wei), Xu YQ (Xu Ying-Qiang), Guo J (Guo Jie), 2010

机译：用于中红外检测的基于GaSb的II型InAs / GaSb超晶格光电二极管的生长和表征
8. Low Temperature Photoluminescence and Leakage Current Characteristics of InAs-GaSb Superlattice Photodiodes; Final rept [R] . Folkes, P. A., Little, J., Svensson, S., 2008

机译：Inas-Gasb超晶格光电二极管的低温光致发光和漏电流特性;最终的评论

Electrical characterizations of asymmetric InAs/GaSb superlattice MWIR photodiodes

摘要

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅