Design considerations for a radiation hardened nonvolatile memory

机译：辐射硬化非易失性记忆的设计考虑因素

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J.R. Murray;
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年度 1993
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1. Design considerations for a radiation hardened nonvolatile memory [J] . Murray J.R. IEEE Transactions on Nuclear Science . 1993,第6期

机译：辐射硬化非易失性存储器的设计注意事项
2. Design of an efficient fully nonvolatile and radiation-hardened majority-based magnetic full adder using FinFET/MTJ [J] . Mamaghani Sina Bakhtavari, Moaiyeri Mohammad Hossein, Jaberipur Ghassem Microelectronics Journal . 2020,第Sepa期

机译：使用FinFET / MTJ设计一种高效的完全非易失性和辐射硬化多数磁性全加法器
3. NVRH-LUT: A nonvolatile radiation-hardened hybrid MTJ/CMOS-based look-up table for ultralow power and highly reliable FPGA designs [J] . Vahid JAMSHIDI Turkish Journal of Electrical Engineering and Computer Sciences . 2019,第6期

机译：NVRH-LUT：用于超级功率和高度可靠的FPGA设计的非易失性辐射硬化混合MTJ / CMOS的查找表
4. Characterization and qualification of radiation hardened nonvolatile phase change memory technology [C] . Rodgers J., Rockett L., Maimon J., Aerospace Conference, 2010 . 2010

机译：辐射硬化非易失性相变存储技术的表征和鉴定
5. Radiation-hardened-by-design area-efficient all NMOS memory design. [D] . Kim, Jung Eui. 2007

机译：通过辐射增强的面积有效的所有NMOS存储器设计。
6. Design of Single‐Molecule Multiferroics for Efficient Ultrahigh‐Density Nonvolatile Memories [O] . Qing Yang, Tingting Zhong, Zhengyuan Tu, 2019

机译：高效超高密度非易失性存储器的单分子多铁化合物设计
7. NVRH-LUT: A nonvolatile radiation-hardened hybrid MTJ/CMOS-basedlook-up table for ultralow power and highly reliable FPGA designs [O] . Vahid JAMSHIDI 2019

机译：NVRH-LUT：用于超高功率和高度可靠的FPGA设计的非易失性辐射 - 硬化混合MTJ / CMOS基础表
8. Design considerations for a radiation hardened nonvolatile memory [R] . Murray, J R 1993

机译：辐射强化非易失性存储器的设计考虑因素

Design considerations for a radiation hardened nonvolatile memory

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