机译:极紫外光刻技术对非恒定扩散系数对22 nm制作中潜像质量的影响
机译:通过极端紫外光刻的化学放大抗蚀剂工艺制造低于10纳米半节距的可行性研究:I.通过概率密度模型预测的潜像质量
机译:通过酸扩散常数和/或可光分解的淬灭剂浓度,在使用极紫外光刻技术制造11 nm半间距线间距图形中,进行抗蚀剂图像质量控制
机译:适用于22-40 nm半间距特征的极端紫外线光刻掩模图案缺陷的可印刷性
机译:强烈的毛细管放电等离子体极紫外光源,用于极紫外光刻和其他极紫外成像应用。
机译:用常规的紫外光刻和微细加工技术制备具有窄缝孔的多层聚合物微筛
机译:极紫外紫外光刻技术,可快速,灵活和并行地制造红外天线
机译:更新sEmaTECH 0.5 Na极紫外光刻(EUVL)微场曝光工具(mET)。会议:spIE - 极紫外(EUV)光刻V,加利福尼亚州圣何塞,2014年2月23日;相关信息:Journal.publication日期:90481m。