机译:隧穿和注射在黑色结构结构中Ingaas GaAs(Ga,Mn)AS和Ingaas / N〜+ -Gaas /(Ga,Mn)为
机译:在InGaAs,InGaAsP和InGaAs / InGaAsP GSMBE结构中的扩散行为
机译:铁磁Mn-δ掺杂层对GaAsSb / GaAs和InGaAs / GaAsSb / GaAs异质结构发射特性的影响
机译:GaAs:Mn层磁化在含有Ingaas量子的GaAs的异质结构中
机译:Igaas量子点的相干壮观= koh?怨恨不同的区别和Ingaas Pollarts
机译:掺杂的自组装InAs / InGaAs / GaAs / AlGaAs量子点中应变相关的光吸收的理论研究
机译:隧穿和注射用铁结构结构IngaAs / GaAs /(Ga,Mn)AS和IngaAs / N- = Sup = - + - = / sup = - GaAs /(Ga,Mn)如
机译:单片二维表面发射应变层InGaas / alGaas和alInGaas / alGaas二极管激光器阵列,具有超过50%的差分量子效率