机译:超大型集成电路中缩小CU互连的新技术。新型先进的Cu沉积过程,长时间抛出溅射。
机译:与iPVD Ti和CVD Ru集成的先进iPVD Cu工艺的自底向上沉积
机译:TiN / Al-0.5Cu / Ti互连在腔室长时间停留和沉积后退火过程中的形态演变与金属化工艺中的缺陷形成有关
机译:通过优化溅射条件提高大型集成器件的溅射沉积铜互连的高参考电压低特性
机译:先进的铜互连工艺的回顾-低电阻低应力铜互连层的沉积-
机译:用于超大规模互连技术的非晶态氮化钨的化学气相沉积。
机译:用于进一步缩小超大型集成器件-Cu互连的等离子增强化学气相沉积SiCH膜的低k覆盖层的材料设计
机译:超大型集成电路中缩小CU互连的新技术。缩小CU互连铜膜沉积技术的现状与问题。
机译:在稀HF溶液中铝,al-Cu和al-si薄膜的亚稳态点腐蚀及其与集成电路互连处理的相关性。