首页> 外文OA文献 >Stretchable Polymer Gate Dielectric by Ultraviolet-Assisted Hafnium Oxide Doping at Low Temperature for High-Performance Indium Gallium Tin Oxide Transistors

【2h】

Stretchable Polymer Gate Dielectric by Ultraviolet-Assisted Hafnium Oxide Doping at Low Temperature for High-Performance Indium Gallium Tin Oxide Transistors

机译：通过紫外线辅助氧化铪掺杂在低温下可拉伸的聚合物栅极电介质，用于高性能铟镓氧化锡晶体管

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者

展开▼
作者单位

展开▼
年度 -1
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Stretchable Polymer Gate Dielectric by Ultraviolet-Assisted Hafnium Oxide Doping at Low Temperature for High-Performance Indium Gallium Tin Oxide Transistors [J] . Hur Jae Seok, Kim Jeong Oh, Kim Hyeon A., ACS applied materials & interfaces . 2019,第24期

机译：通过紫外线辅助氧化铪掺杂在低温下可拉伸的聚合物栅极电介质，用于高性能铟镓氧化锡晶体管
2. Low-Voltage-Driven Bottom-Gate Amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide Thin-Film Transistors with High Dielectric Constant Oxide/Polymer Double-Layer Dielectric [J] . Joo Hyon NOH, Chang Su KIM, Seung Yoon RYU, Japanese journal of applied physics . 2007,第7A期

机译：具有高介电常数氧化物/聚合物双层介电常数的低压驱动底栅非晶态铟镓锌氧化物薄膜晶体管
3. Amorphous Indium Gallium Zinc Oxide Thin-Film Transistors with a Low-Temperature Polymeric Gate Dielectric on a Flexible Substrate [J] . Gun Woo Hyung, Jaehoon Park, Jian-Xun Wang, Japanese journal of applied physics . 2013,第7Issue1期

机译：柔性基板上具有低温聚合栅介质的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管
4. High performance top gate indium-tin-gallium-oxide thin-film transistors with Al2O3 as a gate insulator at low temperatures [C] . Chang Yong Oh, Hyun Jae Jang, Hyungryul Park, International Conference on Display Technology;Society for Information Display . -1

机译：高性能顶栅铟 - 氧化铟镓氧化膜膜晶体管，具有Al2O3作为低温下的栅极绝缘体
5. Ultraviolet-assisted oxidation and nitridation of hafnium and hafnium aluminum alloys as potential gate dielectrics for metal oxide semiconductor applications. [D] . Essary, Chad Robert. 2004

机译：and和ha铝合金的紫外线辅助氧化和氮化作为金属氧化物半导体应用的潜在栅极电介质。
6. High-Mobility Inkjet-Printed Indium-Gallium-Zinc-Oxide Thin-Film Transistors Using Sr-Doped Al2O3 Gate Dielectric [O] . Seungbeom Choi, Kyung-Tae Kim, Sung Kyu Park, 2019

机译：使用掺Sr的Al2O3栅介质的高迁移率喷墨印刷铟镓锌氧化物薄膜晶体管
7. Low-operating-voltage polymer thin-film transistors based on poly(3-hexylthiophene) with hafnium oxide as the gate dielectric [O] . Deng LF, Yao RH, Lai PT, 2010

机译：基于聚（3-己基噻吩）的低工作电压聚合物薄膜晶体管，以氧化铪作为栅介质

Stretchable Polymer Gate Dielectric by Ultraviolet-Assisted Hafnium Oxide Doping at Low Temperature for High-Performance Indium Gallium Tin Oxide Transistors

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅