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Mathematic modeling the oxygen distribution mechanism in Si ingots during growing processes

机译:生长过程中硅锭中氧分布机理的数学模型

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摘要

The article provides specified mathematic modeling of oxygen distribution mechanism in Si ingots. Experimentally such model parameters as quartz melting speed for different melting zones, initial oxygen concentration in melt, influence of crucible rotation speed on melting rate. The work outlines the results of computer modeling. The results of theoretical and experimental investigations carried make possible to predict oxygen concentration in Si ingot and define the technology parameters for growing ingots of stated concentration.
机译:本文提供了硅锭中氧分布机理的特定数学模型。实验中,模型参数包括不同熔融区的石英熔融速度,熔体中的初始氧气浓度,坩埚旋转速度对熔融速率的影响。这项工作概述了计算机建模的结果。理论和实验研究的结果使预测硅锭中的氧浓度和定义用于生长所述浓度的锭的技术参数成为可能。

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