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Thermoelectric effect in single layer epitaxial graphene formed on semiconductor substrate. Simple analytical model

机译:在半导体衬底上形成的单层外延石墨烯中的热电效应。简单的分析模型

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摘要

In this paper we have investigated thermoelectric effect in the epitaxial graphene on a semiconductor substrateudusing a simple model. We have obtained the expressions for static conductance and thermopower of theudepitaxial graphene. The thermopower of the epitaxial graphene can be abnormally large near the edges of theudsemiconductor band gap.
机译:在本文中,我们使用简单模型研究了半导体衬底上外延石墨烯中的热电效应。我们获得了外延石墨烯的静态电导和热功率的表达式。在半导体带隙的边缘附近,外延石墨烯的热功率可能异常大。

著录项

  • 作者

    Alisultanov Z.Z.;

  • 作者单位
  • 年度 2013
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 en
  • 中图分类

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