机译:完全耗尽的超薄SOI p-MOSFET的埋入氧化物电荷陷阱导致性能下降
机译:0.2μmN和P沟道全耗尽Unibond MOSFET中热载流子效应的温度依赖性
机译:ELTRAN和UNIBOND晶圆上制造的FD-SOI MOSFET中2 MeV电子辐照引起的降解的分析
机译:完全耗尽的Unibond SOI MOSFET电气性能的辐射效应
机译:MOSFET中的低频噪声和电荷捕获
机译:FinFET和带铁电电容器的全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)MOSFET的磁滞窗口研究
机译:具有pearson-IV型掺杂分布的双材料双栅全耗尽sOI mOsFET的分析表征