机译:纳米级FD-SOI器件中的加热效应引起的声子分散及其对电特性劣化的影响
机译:具有纳米自热通道结构的相变存储器件的制备和电学表征
机译:计算非平衡热声子载流子加热对半导体器件影响及电流-电压关系的理论模型
机译:半导体光伏器件中非QuibiRibrim热声子效应的理论模型和仿真
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机译:准纳米级半导体器件中的声子和声子相关效应。
机译:采用第一原理方法的电掺杂纳米级设备:全面调查
机译:支持和解释mOsavanvés:dispositif FD-sOI,transistor sans jonctions(JLT)ettransistoràcoucheminceàlele-conducteur d'oxyde amorphe。高级mOs器件的电气特性和建模:FD-sOI器件,无结晶体管和非晶氧化物半导体薄膜晶体管