首页> 外文OA文献 >An Investigation of Locally Trapped Charge Distribution using the Charge Pumping Method in the Two-bit SONOS Cell

【2h】

An Investigation of Locally Trapped Charge Distribution using the Charge Pumping Method in the Two-bit SONOS Cell

机译：双位SONOS细胞中电荷泵方法对局部捕获电荷分布的研究

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Ho-Myoung An; Myung-Shik Lee; Kwang-Yell Seo; Byung-Cheul Kim; Joo-Yeon Kim;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2004
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Characterization of Programmed Charge Lateral Distribution in a Two-Bit Storage Nitride Flash Memory Cell by Using a Charge-Pumping Technique [J] . Shaw-Hung Gu, Tahui Wang, Wen-Pin Lu, IEEE Transactions on Electron Devices . 2006,第1期

机译：利用电荷泵技术表征两位存储氮化物闪存单元中程序化电荷的横向分布
2. A novel charge-pumping method for extracting the lateral distributions of interface-trap and effective oxide-trapped charge densities in MOSFET devices [J] . Hsin-Hsien Li, Yu-Lin Chu IEEE Transactions on Electron Devices . 1997,第5期

机译：一种用于提取MOSFET器件中界面陷阱和有效氧化物陷阱电荷密度的横向分布的新型电荷泵方法
3. Investigation of STI edge effect on programming disturb in localized charge trapping SONOS flash memory cells [J] . Yue Xu, Feng Yan, ZhiGuo Li, Microelectronics & Reliability . 2012,第7期

机译：STI边缘效应对局部电荷陷阱SONOS闪存单元中编程干扰的影响
4. OBSERVATION OF THE LATERAL REDISTRIBUTION OF LOCALLY TRAPPED CHARGE IN SONOS MEMORY CELLS [C] . Jae Sung Sim, Yong Kyu Lee, Jong Duk Lee, ECS International Semiconductor Technology Conference . 2003

机译：观察SONOS存储器单元中当地捕获的电荷的横向再分布
5. Uniform and localized charge-trapping in SONOS nonvolatile memory devices. [D] . Wang, Yu. 2005

机译：SONOS非易失性存储设备中的均匀和局部电荷陷阱。
6. Investigation of Intra-Nitride Charge Migration Suppression in SONOS Flash Memory [O] . Seung-Dong Yang, Jun-Kyo Jung, Jae-Gab Lim, 2019

机译：SONOS闪存中氮化物内电荷迁移抑制的研究
7. A comprehensive study of hot-carrier induced interface and oxide trap distributions in MOSFETs using a novel charge pumping technique [O] . MAHAPATRA S, PARIKH CD, RAMGOPAL RAO V, 2000

机译：使用新型电荷泵技术全面研究MOSFET中热载流子诱导的界面和氧化物陷阱的分布

An Investigation of Locally Trapped Charge Distribution using the Charge Pumping Method in the Two-bit SONOS Cell

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅