Представлен обзор свойств пучково-плазменного разряда, позволяющих использовать его в качестве плазменного реактора для низкоэнергетического травления поверхности полупроводниковых материалов. Проведены эксперименты по изучению функции распределения ионов на периферии пучково-плазменного разряда и на поверхности образца, подвергаемого травлению. На основе компьютерных и физических экспериментов разработаны способы и технические средства управления энергией и плотностью ионного потока. Определены основные технологические характеристики режимов травления гетероструктур на основе арсенида галлия. Обсуждаются проблемы построения теории пучково-плазменного разряда в замкнутой системе.
展开▼