机译:通过将铜布线应用于SiLK〜(T.M。)/ SiO_2混合结构来集成高性能CMOS逻辑LSI
机译:具有高带宽堆叠DRAM的节电LSI器件的精细间距Cu重新分布布线和SnCu微凸块的工艺集成
机译:使用用于45纳米CMOS生成的ASIS(专用互连结构)布线设计概念实现芯片级性能最大化
机译:基于水平混合Cu-SiO2-Si平台的片上高性能等离子CMOS元件
机译:用于亚22纳米节点数字CMOS逻辑技术的基于锗的量子阱沟道MOSFET的工艺集成和性能评估
机译:基于Ag / GeSx / Pt的互补电阻开关用于混合CMOS /纳米电子逻辑和存储器架构
机译:基于混合SET-CMOS逻辑电路估计鲁棒性的比较性能研究