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【2h】

Probing the edge-related properties of atomically thin MoS2 at nanoscale

机译：在纳米尺度探测原子薄MOS2的边缘相关性能

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Teng-Xiang Huang; Xin Cong; Si-Si Wu; Kai-Qiang Lin; Xu Yao; Yu-Han He; Jiang-Bin Wu; Yi-Fan Bao; Sheng-Chao Huang; Xiang Wang; Ping-Heng Tan; Bin Ren;
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年度 2019
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1. Probing the edge-related properties of atomically thin MoS2 at nanoscale [J] . Teng-Xiang Huang, Xin Cong, Si-Si Wu, Nature Communications . 2019,第1期

机译：在纳米尺度探测原子薄MOS2的边缘相关性能
2. Current injection from metal to MoS2 probed at nanoscale by conductive atomic force microscopy [J] . Giannazzo F., Fisichella G., Piazza A., Materials science in semiconductor processing . 2016,第Pta2期

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3. Probing of free and localized excitons and trions in atomically thin WSe2, WS2, MoSe2 and MoS2 in photoluminescence and reflectivity experiments [J] . Jadczak J., Kutrowska-Girzycka J., Kapuscinski P., Nanotechnology . 2017,第39期

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4. Probing crystallography-induced anisotropy and periodic property of atomic friction in MoS2 via fast Fourier transform processing [C] . Meng Li, Lianqing Liu, Niandong Jiao, Proceedings of the 11th IEEE Annual International Conference on Nano/Micro Engineered and Molecular Systems . 2016

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5. Synthesis, electronic and opto-electronic transport properties of atomically thin 2D layers of MoS2, WSe2 and CuIn 7Se11 [D] . Ghosh, Sujoy. 2016

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