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Chemical treatment of monocrystalline cadmium telluride and Cd₁₋xMnxTe solid solutions by Н₂О₂–НІ–citric acid etchant compositions

机译:2О2-І-柠檬酸蚀刻剂组合物对单晶碲化镉和Cd₁₋xMnxTe固溶体的化学处理

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摘要

Dissolution of CdTe and Cd₁₋xMnxTe single crystals in aqueous solutions ofudН₂О₂–НІ–citric acid system has been studied. The surfaces of equal etching rates wereudconstructed and the limiting stages of the dissolution process were ascertained. Alsouddetermined were the concentration limits for the solutions that can be used for chemicaludpolishing the above-mentioned semiconductor materials.
机译:研究了CdTe和Cd₁₋xMnxTe单晶在柠檬酸体系中的溶解情况。刻蚀速率相同的表面,并确定了溶解过程的极限阶段。还确定了可用于化学抛光上述半导体材料的溶液的浓度极限。

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