首页> 外文OA文献 >Current Understanding of Bias-Temperature Instabilities in GaN MIS Transistors for Power Switching Applications

【2h】

Current Understanding of Bias-Temperature Instabilities in GaN MIS Transistors for Power Switching Applications

机译：目前了解GaN MIS晶体管中的偏压矫形性，用于电源开关应用

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Milan Ťapajna;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2020
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Analysis of GaN high electron mobility transistor switching characteristics for high-power applications with HiSIM-GaN compact model [J] . Mizoguchi Takeshi, Naka Toshiyuki, Tanimoto Yuta, Japanese journal of applied physics . 2016,第4s期

机译：使用HiSIM-GaN紧凑模型分析大功率应用中GaN高电子迁移率晶体管的开关特性
2. AlGaN/GaN Power Transistors for power switching applications [J] . 上本康裕, 引田正洋, 上野弘明, 電子情報通信学会技術研究報告. シリコン材料·デバイス. Silicon Devices and Materials . 2007,第111期

机译：用于功率开关应用的AlGaN / GaN功率晶体管
3. AlGaN/GaN Power Transistors for power switching applications [J] . 上本康裕, 引田正洋, 上野弘明, 電子情報通信学会技術研究報告. 電子デバイス. Electron Devices . 2007,第110期

机译：用于功率开关应用的AlGaN / GaN功率晶体管
4. GaN TRANSISTORS FOR POWER SWITCHING AND MILLIMETER-WAVE APPLICATIONS [C] . TETSUZO UEDA, YASUHIRO UEMOTO, TSUYOSHI TANAKA, Lester Eastman Conference on High Performance Devices . 2010

机译：用于电源开关和毫米波应用的GaN晶体管
5. High Voltage GaN-on-Si Field-Effect Transistors for Switching Applications [D] . Chen, Xu 2015

机译：用于开关应用的高压GaN-on-Si场效应晶体管
6. Steep Switching of In0.18Al0.82N/AlN/GaN MIS-HEMT (Metal Insulator Semiconductor High Electron Mobility Transistors) on Si for Sensor Applications [O] . Pin-Guang Chen, Kuan-Ting Chen, Ming Tang, 2018

机译：Si上In0.18Al0.82N / AlN / GaN MIS-HEMT（金属绝缘体半导体高电子迁移率晶体管）的陡峭开关
7. Normally-Off GaN Transistors for Power Switching Applications [O] . 2013

机译：用于电源开关应用的常关GAN晶体管
8. Exploratory Development of SiC Bipolar Transistors and GaN heterojunction Bipolar Transistors for High-Power Switching Applications. [R] . Cooper, J. A. 2003

机译：用于大功率开关应用的siC双极晶体管和GaN异质结双极晶体管的探索性开发。

Current Understanding of Bias-Temperature Instabilities in GaN MIS Transistors for Power Switching Applications

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅