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【2h】

Short-Term Memory Dynamics of TiN/Ti/TiO2/SiOx/Si Resistive Random Access Memory

机译：TIN / TI / TIO2 / SIOx / SI电阻随机存取存储器的短期内存动态

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Hyojong Cho; Sungjun Kim;
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年度 2020
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2. Kinetics of photoelectrocatalytic degradation of endocrine disrupting chemicals using sulfur-doped TiO2/Ti photoelectrodes [J] . 孙海健, 金玉苹, 王斌, 哈尔滨工业大学学报：英文版 . 2010,第004期
3. Kinetics of photoelectrocatalytic degradation of endocrine disrupting chemicals using sulfur-doped TiO2/Ti photoelectrodes [J] . SUN Hai-jian, JIN Yu-ping, WANG Bin, 哈尔滨工业大学学报（英文版） . 2010,第004期
4. Effect of TiN/Ti multilayer on fretting fatigue resistance of Ti-811 alloy at elevated temperature [J] . ZHANG Xiao-hua, LIU Dao-xin 中国有色金属学报（英文版） . 2009,第003期
5. Resistive Random Access Memory Cells with a Bilayer TiO2/SiOX Insulating Stack for Simultaneous Filamentary and Distributed Resistive Switching [J] . Xiao Na, Villena Marco A., Yuan Bin, Advanced Functional Materials . 2017,第33期

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