Квантова ємність та процеси накопичення заряду в наноструктурах з почерговими 2D-електронними і 2D-іонними прошарками

摘要

Синтезовано наноструктури GaSe та InSe з включенням нанопрошарків нітриту натрію та наступним заміщенням їх на електролітичні полімерні прошарки. Проаналізовано зміну частотнихudзалежностей питомого опору, діелектричної проникливості, тангенса кута втрат при різнихudнапругах зміщення прикладених до зразків. Побудована еквівалентна схема електричних процесів у таких системах.