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Natural radioactivity consideration for high-κ dielectrics and metal gates choice in nanoelectronic devices

机译：纳米电子器件高κ电介质和金属门选择的自然放射性考虑

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Michael Gedion; Frédéric Wrobel; Frédéric Saigné;
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年度 2010
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2. Effects of Film Stress Modulation Using TiN Metal Gate on Stress Engineering and Its Impact on Device Characteristics in Metal Gate/High- k Dielectric SOI FinFETs [J] . Kang C. Y., Yang J.-W., Oh J., IEEE Electron Device Letters . 2008,第5期

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3. Impact of AlTaO Dielectric Capping on Device Performance and Reliability for Advanced Metal Gate/High-$k$ PMOS Application [J] . Lee B., Lichtenwalner D. J., Novak S. R., Electron Devices, IEEE Transactions on . 2011,第9期

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4. An overview of physical analysis of nanosize conductive path in ultrathin SiON and high-к gate dielectrics in nanoelectronic devices [C] . Pey K. L., Wu X., Liu W. H., 17th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits . 2010

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