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机译:在BEOL兼容温度下掺入MOS 2的铌及其对铜扩散屏障性能的影响
Rui Zhao; Chun‐Li Lo; Fu Zhang; Ram Krishna Ghosh; Theresia Knobloch; Mauricio Terrones; Zhihong Chen; Joshua Robinson;
机译:在BEOL兼容温度下掺入MOS2中的铌及其对铜扩散阻挡性能的影响
机译:偏压温度应力下化学扩散阻挡层和有机硅烷单层对铜扩散的阻挡层完整性
机译:纳米结构和非晶态Ru-Ge扩散阻挡层对铜金属化的扩散阻挡性能
机译:使用金属氧化物半导体(MOS)电容器结构对铜扩散扩散阻挡材料性能的研究
机译:硅化钼扩散阻挡层,用于在高温下钝化铜。
机译:勘误:在与硅纳米和微电子器件兼容的温度下高性能锆钛酸铅钛酸盐的活性层
机译:铌和铌钛晶粒尺寸对铌钛线铌扩散阻挡层拉拔不稳定性的影响
机译:用于BEOL互连的带有高温PVD铜沉积的ALD铜的BEOL PVD ALD集成
机译:含载体的超薄铜箔,其制造方法,以及使用含载体的超薄铜箔,考虑到高温下容易剥离的薄箔而无需使用扩散阻挡层
机译:用于半成品和成型体生产的铜铌合金在铜基体以及铜铌混合晶体中具有铌沉积物
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